Gốm Substrates Silicon Nitride có độ dẫn nhiệt cao Tăng cường tản nhiệt cho EV và Mô-đun IGBT
2025-02-02
Với sự phát triển nhanh chóng của xe điện (EV), đường sắt cao tốc và các hệ thống sạc năng lượng mới, việc quản lý nhiệt của các thiết bị điện đã trở thành một yếu tố quan trọng trong độ tin cậy của hệ thống. Đế gốm silicon nitride (Si₃N₄) có độ dẫn nhiệt cao đã nổi lên như một vật liệu chủ chốt cho việc đóng gói tiên tiến và tản nhiệt trong các thiết bị bán dẫn thế hệ thứ ba như IGBT, MOSFET và mô-đun SiC.
Được sản xuất từ bột silicon nitride có độ tinh khiết cao, đế được thiêu kết ở nhiệt độ trên 2000°C bằng công thức độc quyền và quy trình ép nóng. Nó đạt được độ dẫn nhiệt vượt quá 80W/(m·K) trong khi vẫn duy trì khả năng cách điện tuyệt vời, tổn thất điện môi thấp và độ bền cơ học cao. So với alumina và nhôm nitride, gốm Si₃N₄ mang lại độ dẻo dai và khả năng chống sốc nhiệt vượt trội, đảm bảo tuổi thọ thiết bị dài hơn và độ ổn định hệ thống cao hơn.
Trong các mô-đun truyền động động cơ EV, bộ biến tần, bộ chuyển đổi DC/DC và các trạm sạc nhanh, đế gốm Si₃N₄ làm giảm hiệu quả nhiệt độ tiếp giáp và tăng cường hiệu quả tản nhiệt. Độ bền gãy và khả năng chống chu kỳ nhiệt vượt trội của nó làm cho nó trở nên lý tưởng cho các điều kiện khắc nghiệt như xe lai và hệ thống điện đường sắt.
Ngoài ngành công nghiệp EV, đế silicon nitride còn được sử dụng trong hệ thống lực kéo đường sắt, mô-đun điều khiển điện tử công suất, bộ biến tần công nghiệp và bộ biến tần năng lượng mặt trời. Với sự kết hợp giữa độ dẫn nhiệt cao, cách điện và độ tin cậy, đế Si₃N₄ đang định nghĩa lại tương lai của việc đóng gói điện tử công suất và quản lý nhiệt.