logo
Wuxi Special Ceramic Electrical Co.,Ltd
các sản phẩm
Tin tức
Trang chủ > Tin tức >
Company News About Chất nền gốm silicon nitride có tổn thất điện môi thấp và độ bền cao — Lựa chọn ưu tiên cho bao bì bán dẫn thế hệ tiếp theo
Sự kiện
Liên lạc
Liên lạc: Miss. Zhu
Liên hệ ngay bây giờ
Gửi cho chúng tôi.

Chất nền gốm silicon nitride có tổn thất điện môi thấp và độ bền cao — Lựa chọn ưu tiên cho bao bì bán dẫn thế hệ tiếp theo

2025-02-28
Latest company news about Chất nền gốm silicon nitride có tổn thất điện môi thấp và độ bền cao — Lựa chọn ưu tiên cho bao bì bán dẫn thế hệ tiếp theo

Khi các công nghệ SiC (silicon carbide - silicon carbide) và GaN (gallium nitride - gallium nitride) tiếp tục định hình lại ngành công nghiệp điện tử công suất, nhu cầu về vật liệu đóng gói đáng tin cậy, hiệu suất cao ngày càng tăng. Các đế gốm silicon nitride (Si₃N₄), có đặc tính tổn hao điện môi thấp, độ bền cách điện cao và độ bền cơ học vượt trội, đã trở thành lựa chọn hàng đầu cho các ứng dụng mô-đun công suất tiên tiến.

Được làm từ bột Si₃N₄ có độ tinh khiết cao và thiêu kết trên 2000°C, đế gốm silicon nitride đạt được hằng số điện môi dưới 8 và hệ số tổn hao (tanδ) <0.001, đảm bảo tổn thất năng lượng tối thiểu ở tần số cao. Với độ bền uốn vượt quá 800MPa và khả năng chống sốc nhiệt vượt trội, đế vẫn duy trì tính toàn vẹn cấu trúc ngay cả trong điều kiện chu kỳ nhiệt khắc nghiệt.

Đối với các mô-đun bán dẫn công suất cao như IGBT, MOSFET và thiết bị SiC, đặc tính điện môi thấp đảm bảo truyền tín hiệu hiệu quả, trong khi độ bền cơ học cao tăng cường độ tin cậy và khả năng chống rung. So với alumina và nhôm nitride, đế Si₃N₄ kết hợp độ dẫn nhiệt cao (>80W/m·K) với độ bền gãy vượt trội, khiến chúng trở nên lý tưởng cho các hệ thống truyền động EV, bộ điều khiển lực kéo đường sắt và các mô-đun sạc nhanh.

Ngày nay, đế gốm silicon nitride được sử dụng rộng rãi trong các hệ thống điều khiển động cơ năng lượng mới, bộ biến tần công nghiệp, mô-đun chuyển đổi công suất và bộ khuếch đại trạm gốc 5G, cung cấp khả năng cách điện ổn định và tản nhiệt hiệu quả. Với sự cân bằng vượt trội về hiệu suất nhiệt, điện và cơ học, đế Si₃N₄ đang định nghĩa lại các tiêu chuẩn của bao bì bán dẫn thế hệ tiếp theo.