Đế gốm AlN trở thành tiêu chuẩn nhiệt cho trạm gốc 5G ở mức 230 W/(m·K)
2025-05-11
Trong các tế bào macro và nhỏ 5G, bộ khuếch đại công suất RF và bộ lọc hoạt động ở tần số và công suất cao, khiến chúng cực kỳ nhạy cảm với cả hiệu suất nhiệt và tổn thất điện môi. Al₂O₃ thông thường thường không đáp ứng được cả hai yêu cầu cùng một lúc.
Các đế gốm AlN cung cấp độ dẫn nhiệt lên đến 230 W/(m·K) với tổn thất điện môi thấp tới <0.0005 ở 10 GHz. Chúng loại bỏ nhiệt hiệu quả từ giao diện chip trong khi vẫn duy trì tính toàn vẹn của tín hiệu, giảm điện trở nhiệt RF PA xuống khoảng 0,3 K/W.
Việc sử dụng đế AlN trong các trạm gốc 5G làm giảm đáng kể nhiệt độ mối nối, giúp dễ dàng duy trì công suất đầu ra và độ tuyến tính, đồng thời cho phép tích hợp nhiều kênh RF hơn vào cùng một thể tích tủ để tăng dung lượng trang web.
Khi cả “công suất cao + tần số cao + mật độ cao” đều được yêu cầu, AlN nên là lựa chọn đế mặc định cho các mô-đun RF, với việc tối ưu hóa bố cục và làm mát được xây dựng dựa trên đường cơ sở đó.