logo
Wuxi Special Ceramic Electrical Co.,Ltd
các sản phẩm
Tin tức
Trang chủ > Tin tức >
Tin tức công ty về Giải quyết các Thách thức về Tản nhiệt — Đế Silicon Nitride có Độ dẫn Nhiệt Cao cho Mô-đun IGBT
Sự kiện
Liên lạc
Liên lạc: Miss. Zhu
Liên hệ ngay bây giờ
Gửi cho chúng tôi.

Giải quyết các Thách thức về Tản nhiệt — Đế Silicon Nitride có Độ dẫn Nhiệt Cao cho Mô-đun IGBT

2025-11-12
Latest company news about Giải quyết các Thách thức về Tản nhiệt — Đế Silicon Nitride có Độ dẫn Nhiệt Cao cho Mô-đun IGBT

Trong các phương tiện điện hiện đại, hệ thống kéo tàu hỏa và truyền động công nghiệp, các mô-đun công suất IGBT thường gặp phải tình trạng quá nhiệt, tách lớp và hỏng hóc do mỏi do tải nhiệt cao. Các chất nền truyền thống bằng alumina hoặc nhôm nitride không thể cân bằng giữa độ dẫn nhiệt và độ bền cơ học, dẫn đến giảm tuổi thọ.
Chất nền gốm silicon nitride có độ dẫn nhiệt cao cung cấp một giải pháp tối ưu với độ dẫn nhiệt 90–100 W/m·K, độ bền uốn trên 600 MPa và hệ số giãn nở nhiệt là 2.8–3.2×10⁻⁶/K, phù hợp hoàn hảo với chip silicon để giảm thiểu ứng suất nhiệt.

Nó cũng có khả năng cách điện tuyệt vời (>20 kV/mm) và tổn thất điện môi thấp (<0.001), đảm bảo hoạt động an toàn ở điện áp và tần số cao. Bằng cách sử dụng kim loại hóa DBC hoặc AMB, chất nền Si₃N₄ đạt được liên kết hiệu quả với đồng, tối ưu hóa khả năng tản nhiệt và độ tin cậy.
Trong các mô-đun công suất IGBT và SiC, chất nền này làm giảm nhiệt độ mối nối từ 15–20°C và kéo dài tuổi thọ mô-đun lên đến 3×, khiến nó trở thành lựa chọn ưu tiên cho bộ biến tần điện EV, tàu cao tốc, bộ chuyển đổi năng lượng tái tạo và lưới điện thông minh.
Gốm Si₃N₄ đại diện cho thế hệ vật liệu đóng gói điện tử công suất tiếp theo, mang lại hiệu suất, độ bền và hiệu quả năng lượng vượt trội trong điều kiện chu kỳ nhiệt khắc nghiệt.