logo
Wuxi Special Ceramic Electrical Co.,Ltd
các sản phẩm
Tin tức
Trang chủ >

Trung Quốc Wuxi Special Ceramic Electrical Co.,Ltd Tin tức công ty

Chất nền gốm silicon nitride có tổn thất điện môi thấp và độ bền cao — Lựa chọn ưu tiên cho bao bì bán dẫn thế hệ tiếp theo

Khi các công nghệ SiC (silicon carbide - silicon carbide) và GaN (gallium nitride - gallium nitride) tiếp tục định hình lại ngành công nghiệp điện tử công suất, nhu cầu về vật liệu đóng gói đáng tin cậy, hiệu suất cao ngày càng tăng. Các đế gốm silicon nitride (Si₃N₄), có đặc tính tổn hao điện môi thấp, độ bền cách điện cao và độ bền cơ học vượt trội, đã trở thành lựa chọn hàng đầu cho các ứng dụng mô-đun công suất tiên tiến. Được làm từ bột Si₃N₄ có độ tinh khiết cao và thiêu kết trên 2000°C, đế gốm silicon nitride đạt được hằng số điện môi dưới 8 và hệ số tổn hao (tanδ) 80W/m·K) với độ bền gãy vượt trội, khiến chúng trở nên lý tưởng cho các hệ thống truyền động EV, bộ điều khiển lực kéo đường sắt và các mô-đun sạc nhanh. Ngày nay, đế gốm silicon nitride được sử dụng rộng rãi trong các hệ thống điều khiển động cơ năng lượng mới, bộ biến tần công nghiệp, mô-đun chuyển đổi công suất và bộ khuếch đại trạm gốc 5G, cung cấp khả năng cách điện ổn định và tản nhiệt hiệu quả. Với sự cân bằng vượt trội về hiệu suất nhiệt, điện và cơ học, đế Si₃N₄ đang định nghĩa lại các tiêu chuẩn của bao bì bán dẫn thế hệ tiếp theo.

2025

02/28

Mô-đun nguồn EV quá nhiệt? Đế Si₃N₄ cách điện cao cải thiện độ tin cậy của hệ thống

Các mô-đun nguồn của xe điện thường hoạt động trong điều kiện khắc nghiệt — dòng điện cao, tần số cao và chu kỳ nhiệt liên tục. Những áp lực này gây ra sự phân lớp, mỏi mối hàn và cuối cùng là hỏng thiết bị. Đế cách điện cao Silicon Nitride được thiết kế để giải quyết những vấn đề này bằng cách kết hợp độ dẫn nhiệt cao (≥90 W/m·K), độ bền điện môi vượt trội (≥20 kV/mm) và độ bền cơ học đặc biệt (≥600 MPa) trong một nền tảng duy nhất. Với CTE là 3×10⁻⁶/K, đế phù hợp hoàn hảo với các chip silicon hoặc SiC, giảm mỏi nhiệt và tăng cường độ tin cậy lâu dài. Lớp kim loại hóa đồng AMB hoặc DBC cung cấp độ bám dính tuyệt vời và điện trở nhiệt thấp để tản nhiệt hiệu quả. Dữ liệu thực tế cho thấy các mô-đun dựa trên Si₃N₄ có thể hoạt động hơn 2000 giờ ở 125°C mà không bị suy giảm và duy trì sự ổn định trong hơn 100.000 chu kỳ nhiệt. Ngày nay, đế Si₃N₄ được sử dụng rộng rãi trong bộ biến tần lực kéo EV, bộ sạc trên bo mạch, bộ chuyển đổi DC-DC và hệ thống lưu trữ năng lượng, mang lại hoạt động an toàn hơn, mật độ công suất cao hơn và tuổi thọ dài hơn so với gốm truyền thống. Đối với các nhà sản xuất đang tìm kiếm độ tin cậy thế hệ tiếp theo, công nghệ này đảm bảo hiệu suất cách điện và quản lý nhiệt vượt trội trong môi trường ô tô khắc nghiệt.

2025

02/04

Gốm Substrates Silicon Nitride có độ dẫn nhiệt cao Tăng cường tản nhiệt cho EV và Mô-đun IGBT

Với sự phát triển nhanh chóng của xe điện (EV), đường sắt cao tốc và các hệ thống sạc năng lượng mới, việc quản lý nhiệt của các thiết bị điện đã trở thành một yếu tố quan trọng trong độ tin cậy của hệ thống. Đế gốm silicon nitride (Si₃N₄) có độ dẫn nhiệt cao đã nổi lên như một vật liệu chủ chốt cho việc đóng gói tiên tiến và tản nhiệt trong các thiết bị bán dẫn thế hệ thứ ba như IGBT, MOSFET và mô-đun SiC. Được sản xuất từ bột silicon nitride có độ tinh khiết cao, đế được thiêu kết ở nhiệt độ trên 2000°C bằng công thức độc quyền và quy trình ép nóng. Nó đạt được độ dẫn nhiệt vượt quá 80W/(m·K) trong khi vẫn duy trì khả năng cách điện tuyệt vời, tổn thất điện môi thấp và độ bền cơ học cao. So với alumina và nhôm nitride, gốm Si₃N₄ mang lại độ dẻo dai và khả năng chống sốc nhiệt vượt trội, đảm bảo tuổi thọ thiết bị dài hơn và độ ổn định hệ thống cao hơn. Trong các mô-đun truyền động động cơ EV, bộ biến tần, bộ chuyển đổi DC/DC và các trạm sạc nhanh, đế gốm Si₃N₄ làm giảm hiệu quả nhiệt độ tiếp giáp và tăng cường hiệu quả tản nhiệt. Độ bền gãy và khả năng chống chu kỳ nhiệt vượt trội của nó làm cho nó trở nên lý tưởng cho các điều kiện khắc nghiệt như xe lai và hệ thống điện đường sắt. Ngoài ngành công nghiệp EV, đế silicon nitride còn được sử dụng trong hệ thống lực kéo đường sắt, mô-đun điều khiển điện tử công suất, bộ biến tần công nghiệp và bộ biến tần năng lượng mặt trời. Với sự kết hợp giữa độ dẫn nhiệt cao, cách điện và độ tin cậy, đế Si₃N₄ đang định nghĩa lại tương lai của việc đóng gói điện tử công suất và quản lý nhiệt.

2025

02/02

Loại bỏ Hydro chưa hoàn thiện? Hệ thống Rôto Si₃N₄ Nâng cấp Cải thiện Chất lượng Đúc và Ổn định Quy trình

Trong các hoạt động đúc khuôn nhôm, hiệu quả khử khí trực tiếp quyết định tính toàn vẹn của vật đúc. Các cánh quạt than chì thông thường bị oxy hóa và xói mòn nhanh chóng, tạo ra sự phân tán khí không đều và bảo trì thường xuyên. Hệ thống cánh quạt gốm Silicon Nitride sử dụng thiết kế cánh quạt được chế tạo chính xác với các kênh khuếch tán bọt khí được tối ưu hóa để tối đa hóa việc loại bỏ hydro. Được chế tạo từ Si₃N₄ đặc, nó chống lại sốc nhiệt và ăn mòn ngay cả trong quá trình hoạt động liên tục 1.000 giờ ở 900–1000 °C. Kết quả là giảm 30–40% hàm lượng hydro, tăng 8–10% mật độ kim loại và giảm đáng kể các khuyết tật lỗ chân lông. Vì gốm trơ về mặt hóa học với nhôm nóng chảy, nó đảm bảo một quá trình nóng chảy sạch hơn, kéo dài tuổi thọ của bộ lọc và cải thiện chất lượng hạ nguồn. Đối với bánh xe ô tô, piston và các bộ phận đúc khuôn kết cấu, hệ thống cánh quạt Si₃N₄ được nâng cấp mang lại năng suất cao hơn, bảo trì thấp hơn và tính nhất quán vượt trội—giúp các nhà sản xuất đạt được các thành phần nhôm nhẹ, không có khuyết tật cho các thị trường đòi hỏi khắt khe.

2025

02/02

2025

01/07

1 2 3 4 5